NandFlash存儲(chǔ)器由多個(gè)Block組成，每一個(gè)Block又由多個(gè)Page組成，Page的大小一般為2K+64Bytes或512+16Bytes。Page是讀取和編程的基本單位，而擦除的基本單位是Block。

NAND Flash的頁(yè)，包含主區(qū)（Main Area）和備用區(qū)（Spare Area）兩個(gè)域，“主區(qū)”中有512*8（或256*16）或2048*8（或1024*16）個(gè)位，“備用區(qū)”中有16*8（或8*16）或64*8（或32*16）個(gè)位，這樣每一頁(yè)總共有528*8（264*16）或2112*8（或1056*16）個(gè)位。備用區(qū)是保留區(qū)域，用來(lái)標(biāo)記壞塊（bad block）和存放ECC的值，因此對(duì)于用戶來(lái)說(shuō)只有“主區(qū)”是可用的。

圖1是MT29F2G08AxB的結(jié)構(gòu)圖，它的讀取和編程都以Page為基本單位，所以它的Cache Register和Data Register都是一個(gè)Page的規(guī)格。NandFlash的特別之處就在于頁(yè)結(jié)構(gòu)，它分成數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)兩個(gè)部分，數(shù)據(jù)區(qū)和備用區(qū)按頁(yè)的形式一一對(duì)應(yīng)，因此讀取和編程的數(shù)據(jù)流也需要按頁(yè)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行組織和分解。

圖1所示的MT29F2G08AxB芯片的數(shù)據(jù)區(qū)為2048字節(jié)，備用區(qū)為64字節(jié)。在實(shí)際應(yīng)用中，備用區(qū)一般用于數(shù)據(jù)區(qū)的檢錯(cuò)和糾錯(cuò)。

NAND flash出廠時(shí)可能含有無(wú)效的塊，在使用過(guò)程中也可能會(huì)出現(xiàn)其他無(wú)效的塊。無(wú)效的塊即為包含一個(gè)或多個(gè)壞位的塊。每一片芯片在出廠前都經(jīng)過(guò)測(cè)試和擦除，并標(biāo)識(shí)了壞塊，禁止對(duì)在出廠時(shí)作了標(biāo)記的壞塊進(jìn)行擦除或編程。因此在應(yīng)用中和編程時(shí)，都需要能夠?qū)膲K進(jìn)行識(shí)別和處理。NandFlash的塊保證是可用的。

另外，Micron NandFlash具有10個(gè)頁(yè)的OTP區(qū)域，這個(gè)區(qū)域不能被擦除，只能編程一次，而且如果被保護(hù)，即使是把1編程為0也是禁止的。

由于NAND Flash的工藝不能保證NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠，因此，在NAND的生產(chǎn)中及使用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生壞塊。所以NandFlash芯片廠商為了區(qū)分好塊與壞塊，會(huì)在出廠的時(shí)候在備用區(qū)某個(gè)地址中標(biāo)記非FFh表示壞塊。

工廠在寬溫和寬電壓范圍內(nèi)測(cè)試了Nand；一些由工廠標(biāo)記為壞的區(qū)塊可能在一定的溫度或電壓條件下仍然能工作，但是，將來(lái)可能會(huì)失效。如果壞塊信息被擦除，就無(wú)法再恢復(fù)。